爱的天使
初二 记叙文 1925字 84人浏览 ahang1005

模拟电路期中模拟试题2

一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )

(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( )

(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) 解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×

三、I 解:根据图P1.22所示T 的输出特性可知,其开启电压为5V ,根据图P1.23所示电路可知所以u GS =u I 。 当u I =4V 时,u GS 小于开启电压,故T 截止。

当u I =8V 时,设T 工作在恒流区,根据

输出特性可知i D ≈0.6mA ,管压降

u DS ≈V DD -i D R d ≈10V

因此,u GD =u GS -u DS ≈-2V ,小于开启电压, 说明假设成立,即T 工作在恒流区。

当u I =12V 时,由于V DD =12V ,必然使T 工作在可变电阻区。

图P1.23

四、 电路如图P 2. 4(a )所示,图(b )是晶体

管的输出特性,静态时U B E Q =0. 7V 。利用图解法分别求出R L =∞和R L =3k Ω时的静

态工作点和最大不失真输出电压U o m (有效值)。

图P 2. 4

解:空载时:I B Q =20μA ,I C Q =2m A ,U C E Q =6V ;最大不失真输出电压峰值约为5. 3V ,有效值约为3. 75V 。

带载时:I B Q =20μA ,I C Q =2m A ,U C E Q =3V ;最大不失真输出电压峰值约为2. 3V ,有效值约为1. 63V 。 如解图P 2. 4所示。

解图P 2. 4

五、 图P 3. 6所示电路参数理想对称,β

1

=β

2

=β,r b e 1=r b e 2=r b e 。

(1)写出R W 的滑动端在中点时A d 的表达式;

(2)写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式,比较两个结果有什么不同。

图P 3. 6

解:(1)R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为

be

W

c I

O

d ) ( r R R u u A +

-=∆∆=

β

(2)R W 的滑动端在最右端时

I

be W

c C2C1O I

be

c

C2I be

W c C1) ( 2 2)

( u

r R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+

-

=∆-∆=∆∆⋅+

=∆∆⋅+-

=∆βββ

所以A d 的表达式为

be

W

c I

O

d ) ( r R R u u A +

-=∆∆=

β

比较结果可知,两种情况下的A d 完全相等;但第二种情况下的C2

1C u u ∆∆>。

六、电路如图P 4. 8所示,具有理想的对称性。设各管β均相同。

(1)说明电路中各晶体管的作用; (2)若输入差模电压为(u I 1-u I 2),则由此产生的差模电流为△i D ,求解电路电流放大倍数A i 的近似表达式。

解:(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T 1和T 2、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管,T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。

(2)由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源

负载,将左半部分放大管的电流变化量转换到右边,故

输出电流变化量及电路电流放大倍数 图P 4. 8

分别为

ββββ) 1(2 ) 1(2I O I

O +≈∆∆=

∆+≈∆i i A i i i

七、已知某电路电压放大倍数

) 10j 1)(10j 1(j 105f f f A u

++-=

试求解: (1)

m u A =?f L =?f H =? (2)画出波特图。

解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出m u A 、f L 、f H 。

Hz 10Hz

10100

) 10j 1)(10j 1(10j 1005H L m 5==-=++⋅-=f f A f f f A u u

(2)波特图如解图P 5. 6所示。

解图P 5. 6